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W987D2HBJX7E TR

Fabricantes: Winbond Electronics
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: W987D2HBJX7E TR
Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Winbond Electronics
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tecnología SDRAM - Mobile LPSDR
Tiempo de acceso 5.4ns
Tamaño de la memoria 128Mb (4M x 32)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Not For New Designs
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 90-TFBGA
Frecuencia del reloj 133MHz
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 85°C (TC)
Paquete de dispositivos de proveedores 90-VFBGA (8x13)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.00 $1.96 $1.92
Mínimo: 1

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