La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

W949D6DBHX5E

Fabricantes: Winbond Electronics
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: W949D6DBHX5E
Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Winbond Electronics
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR
Tiempo de acceso 5ns
Tamaño de la memoria 512Mb (32M x 16)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 60-TFBGA
Frecuencia del reloj 200MHz
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 85°C (TC)
Paquete de dispositivos de proveedores 60-VFBGA (8x9)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.69 $2.64 $2.58
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

GD25Q256DBIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
$2.69
S71VS064RB0AHT4L3
Cypress Semiconductor Corp
$2.69
S25FL127SABNFB103
Cypress Semiconductor Corp
$2.69
IS62WV5128EBLL-45TLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.69
IS65LV256AL-45TLA3
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$2.69