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NXPSC08650DJ

Fabricantes: WeEn Semiconductors
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: NXPSC08650DJ
Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante WeEn Semiconductors
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacitancia : Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 230µA @ 650V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 650V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 8A
Temperatura de funcionamiento - Unión 175°C (Max)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.7V @ 8A

En stock 90 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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