La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
NXPSC08650DJ
| Fabricantes: | WeEn Semiconductors |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | NXPSC08650DJ |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | WeEn Semiconductors |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Capacitancia : Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | DPAK |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 230µA @ 650V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 650V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 8A |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.7V @ 8A |
En stock 90 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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