La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
BYV30JT-600PQ
| Fabricantes: | WeEn Semiconductors |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | BYV30JT-600PQ |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | WeEn Semiconductors |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Capacitancia : Vr, F | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3P |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 65ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 10µA @ 600V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 600V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 30A |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.8V @ 30A |
En stock 93 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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