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SUP85N10-10-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SUP85N10-10-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 160nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6550pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 85A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 500 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.31 $6.18 $6.06
Mínimo: 1

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