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SUP50010E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SUP50010E-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN 60-V TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 375W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 212nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10895pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

En stock 63 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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