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SUD50N02-09P-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SUD50N02-09P-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 39.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1300pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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