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SUD23N06-31-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SUD23N06-31-GE3
Descripción:	MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	31mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.)	5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-252, (D-Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	17nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	670pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	21.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V