La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SQM10250E_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQM10250E_GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN 250V TO-263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 30mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 375W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263 (D²Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 75nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 250V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4050pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

En stock 1434 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FQB10N50CFTM-WS
ON Semiconductor
$0
IRFS11N50ATRLP
Vishay / Siliconix
$0
IRFS11N50ATRRP
Vishay / Siliconix
$0
SQJ461EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7846DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0