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SQJ422EP-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQJ422EP-T1_GE3
Descripción: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.4mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.) 83W (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 100nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4660pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 74A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 5989 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.53 $1.50 $1.47
Mínimo: 1

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