SQJ202EP-T1_GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SQJ202EP-T1_GE3 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 27W, 48W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 6.5mOhm @ 15A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 22nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 975pF @ 6V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A, 60A |
En stock 4836 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1