Image is for reference only , details as Specifications

SQD50P08-28_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQD50P08-28_GE3
Descripción: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28mOhm @ 12.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 136W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 145nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6035pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 48A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

STU5N52K3
STMicroelectronics
$1.1
FQU2N100TU
ON Semiconductor
$1.09
STD2NK60Z-1
STMicroelectronics
$1.09
STB7N52K3
STMicroelectronics
$0
SIDR390DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$2.44