La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SQ3457EV-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQ3457EV-T1_GE3
Descripción: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 65mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 705pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 92498 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPN50R800CEATMA1
Infineon Technologies
$0
PMCM6501UNEZ
Nexperia USA Inc.
$0
RQ5E040RPTL
ROHM Semiconductor
$0
FDZ193P
ON Semiconductor
$0
BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
$0