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SQ3418AEEV-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SQ3418AEEV-T1_GE3
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 4W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 370pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 59 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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