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SQ2301ES-T1_GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SQ2301ES-T1_GE3
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id	1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TA)
Rds On (Max) - Id, Vgs	120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	3W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-236 (SOT-23)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	425pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	3.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V