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SQ1922AEEH-T1_GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SQ1922AEEH-T1_GE3
Descripción: MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.5W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores SC-70-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 60pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 850mA (Tc)

En stock 3048 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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