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SIZF300DT-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SIZF300DT-T1-GE3
Descripción:	MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	TrenchFET® Gen IV
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Empaquetado	Digi-Reel®
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores	8-PowerPair® (6x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)