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SIZ920DT-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIZ920DT-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 39W, 100W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Número de pieza base SIZ920
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PowerPair® (6x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 35nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1260pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 40A

En stock 52 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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