SIZ700DT-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SIZ700DT-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Standard |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 2.36W, 2.8W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-PowerPair™ |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 8.6mOhm @ 15A, 10V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-PowerPair™ |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 35nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1300pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 16A |
En stock 78 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1