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SISS60DN-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SISS60DN-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V W/SCHOTTKY PP 12 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | +16V, -12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | Schottky Diode (Body) |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8S |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.31mOhm @ 20A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8S |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 85.5nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3960pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 50.1A (Ta), 181.8A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 50 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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