SISS06DN-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SISS06DN-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | +20V, -16V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8S |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.38mOhm @ 15A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 77nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3660pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 47.6A (Ta), 172.6A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 50 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.12 | $1.10 | $1.08 |
Mínimo: 1