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SISS06DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SISS06DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) +20V, -16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.38mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 77nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3660pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 50 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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