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SISH407DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SISH407DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8SH
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 93.8nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2760pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 3050 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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