Image is for reference only , details as Specifications

SISH407DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SISH407DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8SH
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 93.8nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2760pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 3050 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SIA106DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.86
NTMFS4935NT3G
ON Semiconductor
$0
NVTFS4C05NTAG
ON Semiconductor
$0
CMS16P06H8-HF
Comchip Technology
$0