SISH407DN-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SISH407DN-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±8V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8SH |
Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 3.6W (Ta), 33W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8SH |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 93.8nC @ 8V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2760pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 15.4A (Ta), 25A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
En stock 3050 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1