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SISF00DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SISF00DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET® Gen IV
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 69.4W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8SCD
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 53nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2700pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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