Image is for reference only , details as Specifications

SISA96DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SISA96DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) +20V, -16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 26.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1385pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 353 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

DMP2130LDM-7
Diodes Incorporated
$0
SI8812DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
$0
DMG3404L-7
Diodes Incorporated
$0
NTMFS4C029NT1G
ON Semiconductor
$0
SSM3K341TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0