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SISA16DN-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SISA16DN-T1-GE3
Descripción:	MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	PowerPAK® 1212-8
Número de pieza base	SISA16
Vgs(th) (Max) - Id	2.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6.8mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.)	-
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® 1212-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	47nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2060pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	16A (Ta)