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SIS606BDN-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIS606BDN-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® 1212-8 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 17.4mOhm @ 10A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® 1212-8 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 30nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1470pF @ 50V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
En stock 6000 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.46 | $1.43 | $1.40 |
Mínimo: 1
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