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SIRB40DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIRB40DP-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 46.2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) - Id 2.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.25mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4290pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 40A (Tc)

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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