Image is for reference only , details as Specifications

SIRA66DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIRA66DP-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) +20V, -16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.3mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 62.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 66nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 6000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

HUFA76409D3ST
ON Semiconductor
$0
RQ6L020SPTCR
ROHM Semiconductor
$0
FDMA86108LZ
ON Semiconductor
$0
SISC06DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
NTTFS4C06NTAG
ON Semiconductor
$0