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SIR410DP-T1-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SIR410DP-T1-GE3
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)	4.2W (Ta), 36W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	41nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V