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SIJ482DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIJ482DP-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.2mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 71nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2425pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2443 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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