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SIHU7N60E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHU7N60E-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 78W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 40nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 680pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.80 $0.78 $0.77
Mínimo: 1

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