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SIHP4N80E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHP4N80E-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 32nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 622pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 993 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.98 $1.94 $1.90
Mínimo: 1

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