La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SIHH186N60EF-T1GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHH186N60EF-T1GE3
Descripción: MOSFET N-CH EF PWR PWRPAK 8X8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie EF
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 193mOhm @ 9.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 114W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 8 x 8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 32nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1081pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NVMTS0D7N04CLTXG
ON Semiconductor
$2.68
STP16N60M2
STMicroelectronics
$2.62
STFW24N60M2
STMicroelectronics
$2.61
NVB150N65S3F
ON Semiconductor
$2.61
STB43N60DM2
STMicroelectronics
$2.79