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SIHFS9N60A-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHFS9N60A-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 170W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263 (D²Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 49nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 81 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.00 $0.98 $0.96
Mínimo: 1

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