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SIHD2N80E-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIHD2N80E-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | E |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.75Ohm @ 1A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 62.5W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | D-PAK (TO-252AA) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 19.6nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 315pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.8A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 1401 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.35 | $1.32 | $1.30 |
Mínimo: 1
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