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SIHD2N80AE-GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SIHD2N80AE-GE3
Descripción:	MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	E
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.9Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	62.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	D-PAK (TO-252)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	10.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	180pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V