La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

SIHB22N60AE-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHB22N60AE-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 179W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 96nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1451pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.68 $3.61 $3.53
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

R6024ENZC8
ROHM Semiconductor
$3.66
R6020ENZC8
ROHM Semiconductor
$3.66
STP12N65M5
STMicroelectronics
$3.65
FQA70N15
ON Semiconductor
$3.63
IRFIB5N65APBF
Vishay / Siliconix
$3.6