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SIHB12N50E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHB12N50E-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 114W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D²PAK (TO-263)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 50nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 500V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 886pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 12 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.27 $2.22 $2.18
Mínimo: 1

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