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SIHA120N60E-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIHA120N60E-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie E
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 120mOhm @ 12A, 10V
Disipación de energía (máx.) 34W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220 Full Pack
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1562pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 23 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.00 $4.90 $4.80
Mínimo: 1

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