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SIF912EDZ-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIF912EDZ-T1-E3
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.6W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 2x5
Número de pieza base SIF912E
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 19mOhm @ 7.4A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® (2x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.4A

En stock 88 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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