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SIE802DF-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIE802DF-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 10-PolarPAK® (L)
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.9mOhm @ 23.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 10-PolarPAK® (L)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 160nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7000pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 87 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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