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SIDR610DP-T1-GE3
| Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SIDR610DP-T1-GE3 |
| Descripción: | MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SO-8DC |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 38nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1380pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
En stock 6050 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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