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SIB452DK-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIB452DK-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-75-6L
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SC-75-6L Single
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 190V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 135pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 36471 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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