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SIA907EDJT-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIA907EDJT-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 7.8W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) - Id 1.4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.5A (Tc)

En stock 5490 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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