SIA850DJ-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SIA850DJ-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | LITTLE FOOT® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±16V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 4.5nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 190V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 90pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 950mA (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
En stock 65 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1