SIA777EDJ-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | SIA777EDJ-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N and P-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 5W, 7.8W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.2nC @ 5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V, 12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1.5A, 4.5A |
En stock 59 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.21 | $0.21 | $0.20 |
Mínimo: 1