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SIA427DJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIA427DJ-T1-GE3
Descripción: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±5V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) - Id 800mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SC-70-6 Single
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 50nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2300pF @ 4V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

En stock 58932 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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