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SIA110DJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SIA110DJ-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 55mOhm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SC-70-6 Single
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 550pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

En stock 6000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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