SIA110DJ-T1-GE3
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SIA110DJ-T1-GE3 |
Descripción: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 55mOhm @ 4A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 13nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 550pF @ 50V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.4A (Ta), 12A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
En stock 6000 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1