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SI9410BDY-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI9410BDY-T1-E3
Descripción: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 24mOhm @ 8.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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