Image is for reference only , details as Specifications

SI8819EDB-T2-E1

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI8819EDB-T2-E1
Descripción: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-XFBGA
Vgs(th) (Max) - Id 900mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Disipación de energía (máx.) 900mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 17nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 650pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 3.7V

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

RHK005N03FRAT146
ROHM Semiconductor
$0
SSM3J118TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSM3K122TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSM5H90ATU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSM3K127TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0